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晶圓制造日本KITZ隔膜閥 防顆粒高潔凈
產品簡介:

晶圓制造日本KITZ隔膜閥 防顆粒高潔凈
采用 316L 不銹鋼閥體,可選 EP 電解拋光處理,適配超高純工況。搭載 VFC 精準流量控制功能,零死角無積液流路設計,從源頭降低顆粒污染風險,匹配晶圓制程中高純工藝流體輸送需求。支持免工具更換閥座,維護便捷,密封性能優(yōu)異且無泄漏,滿足半導體潔凈室嚴苛標準,是晶圓制造高純流體控制的優(yōu)選閥件。

產品型號:WD4MS-VFC-N-589

更新時間:2026-02-02

廠商性質:經銷商

訪問量:68

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晶圓制造日本KITZ隔膜閥 防顆粒高潔凈

采用 316L 不銹鋼閥體,可選 EP 電解拋光處理,適配超高純工況。搭載 VFC 精準流量控制功能,零死角無積液流路設計,從源頭降低顆粒污染風險,匹配晶圓制程中高純工藝流體輸送需求。支持免工具更換閥座,維護便捷,密封性能優(yōu)異且無泄漏,滿足半導體潔凈室嚴苛標準,是晶圓制造高純流體控制的優(yōu)選閥件。

晶圓制造日本KITZ隔膜閥 防顆粒高潔凈

專為晶圓制造行業(yè)量身打造的高潔凈流體控制核心部件,聚焦半導體晶圓制程中高純流體輸送的嚴苛需求,以防顆粒、高潔凈、精準控制為核心亮點,適配TEOS等高純液體材料輸送,廣泛應用于晶圓氧化、光刻、薄膜沉積等關鍵工序,是保障晶圓制造良率的精密流體控制解決方案。

該隔膜閥采用高適配性結構設計,核心材質選用316L不銹鋼,分為STD標準型與EP電解拋光型兩種配置,其中EP型經專業(yè)電解拋光處理,內表面粗糙度Ra≤0.4μm,可有效減少流體滯留和顆粒吸附,從源頭降低晶圓制程中的顆粒污染風險,10級以上潔凈室運行標準,契合晶圓制造對環(huán)境潔凈度的要求。閥體采用零死角、無積液流路設計,避免流體殘留導致的交叉污染,適配高純試劑、特種氣體等晶圓制造核心工藝流體的輸送需求。

作為晶圓制造專用款,其核心優(yōu)勢集中在防顆粒、高潔凈與精準控制三大維度。防顆粒設計貫穿整體結構,不僅優(yōu)化了流路弧度,減少流體湍流產生的顆粒,還采用專用隔膜材質與PCTFE閥座,兼具優(yōu)異的密封性與耐磨性,避免閥座磨損產生顆粒雜質,同時通過嚴格的原廠潔凈檢測,確保產品出廠時無多余顆粒殘留,適配晶圓納米級制程的潔凈要求。

VFC精準流量控制功能是該型號的核心技術亮點,可實現(xiàn)流體流量的精細化調節(jié),適配晶圓制造中不同工序對流體流量的差異化需求,調節(jié)精度高、穩(wěn)定性強,有效保障工藝參數的一致性,助力提升晶圓生產良率。閥門采用手動驅動方式,270°旋轉手柄操作便捷,同時 actuator直徑達39.7mm,可適配40mm線間距安裝,適配晶圓制造設備的緊湊布局,安裝靈活性強。

維護便捷性與耐用性大幅貼合工業(yè)生產需求,支持用戶側免工具更換閥座組件,無需拆卸整個閥門,有效縮短維護時間,降低設備停機成本,同時閥座組件與WD4手動閥系列通用,便于備件儲備,進一步控制長期運行成本。產品耐受溫度范圍為-10℃至80℃,使用壓力可達2.94MPa,耐腐蝕性強,可適配晶圓制造中各類工藝化學品的輸送,使用壽命長達5-8年,長期運行穩(wěn)定性優(yōu)異。

該產品嚴格遵循日本KITZ原廠生產標準,經過多道精密加工與檢測工序,符合半導體行業(yè)高純流體控制的相關標準,同時通過了嚴苛的密封性能測試,確保零泄漏運行,避免高純流體泄漏造成的工藝異常與安全隱患。無論是大型晶圓廠的批量生產,還是實驗室的小批量研發(fā),WD4MS-VFC-N-589隔膜閥都能憑借其精準的控制性能、優(yōu)異的潔凈度與高適配性,成為晶圓制造高純流體控制的優(yōu)選部件,助力半導體行業(yè)高效、穩(wěn)定生產。

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